李云鹏

博士后

性别：男

出生年月：1992-01

毕业院校：山东大学

学位：工学博士

所在单位：北京航空航天大学集成电路科学与工程学院

学科：电子科学与技术

办公地点：北京航空航天大学青岛研究院

Email:ypli2013@126.com

个人简历：李云鹏，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院博士后。2014年获得山东大学物理学院微电子学与固体电子学专业学士学位，2019年获得山东大学微电子学院工学博士学位。2022年6月入选北京航空航天大学博士后，目前主要从事隧穿磁传感器和存储器研究。

代表作：

1.Ambipolar SnO_xthin-film transistors achieved at high sputtering power,Applied Physics Letters, vol. 112, p. 182102, 2018，一作.

2.Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors,IEEE Electron Device Letters,vol. 39, p. 208, 2018，一作.

3.Extremely Sensitive Dependence of SnO_x Film Properties on Sputtering Power, Scientific Reports,vol. 6, p. 36183, 2016，一作.

4.Complementary Integrated Circuits based on N- and P-Type Oxide Semiconductors for Applications beyond Flat-Panel Displays,IEEETransactionson Electron Devices, vol. 66, p. 750, 2019，一作.

5.Flexible indium-gallium-zinc-oxide Schottky diode operating beyond 2.45 GHz, Nature Communications,vol. 6, p. 7561, 2015，二作.

教育经历:

[1] 2014.09-2019.06，山东大学微电子学院，博士

[2] 2010.09-2014.06，山东大学物理学院，本科

研究方向：

隧穿磁传感器和存储器