设为首页|加为收藏 | ENGLISH

博士后

当前位置: 网站首页 -> 师资队伍 -> 师资简介 -> 正文

程厚义

发布日期:2024-04-15   点击量:

程厚义

博士后

性别:男

出生年月:1996年11月20日

毕业院校:北京航空航天大学

学位:博士学位

所在单位:集成电路科学与工程学院

学科:集成电路科学与工程

办公地点:北航第一馆224

邮箱:hycheng@buaa.edu.cn

个人简历:

程厚义,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院博士后。2023年获北京航空航天大学博士学位,师从赵巍胜教授和赵超研究员。2023年12月入选北京航空航天大学“卓越百人博士后支持计划”。目前主要从事集成电路薄膜装备和工艺的基础及应用研究。作为技术骨干参与了基金委重大科研仪器研发项目、核高基重大专项子课题、安徽省科技重大专项等多个装备研发项目。以一作、共同一作在Advanced Electronic Materials,Science China Physics, Mechanics & Astronomy,Review of Scientific Instruments等期刊上发表科研论文十余篇。带领团队自主研发了多款高精度薄膜沉积装备,多项技术实现成果转化,获授权中国发明专利6项,参编并获批准团体标准两项。成果获2023年中国仪器仪表学会技术发明奖,中国国际大学生创新大赛全国金奖(负责人)等奖励。

代表性论文:

1、 Cheng H, Zhang B, Eimer S, et. al. An integrated ultra-high vacuum cluster for atomic-scale deposition interface regulation and characterization of spintronic multilayers, Review of Scientific Instruments, 2023, 94(7).

2、 Cheng H, Zhang B, Xu Y, et. al. Mo-based Perpendicularly Magnetized Thin Films with Low-damping for Fast and Low-power Consumption Magnetic Memory, Science China Physics, Mechanics & Astronomy, 2022, 65(8): 287511.

3、Cheng H, Chen J, Peng S, et. al. Giant Perpendicular Magnetic Anisotropy in Mo-Based Double-Interface Free Layer Structure for Advanced Magnetic Tunnel Junctions,Advanced Electronic Materials, 2020, 6(8): 2000271.

4、 Eimer S, Cheng H, Li J, et. al. Perpendicular magnetic anisotropy based spintronics devices in Pt/Co stacks under different hard and flexible substrates, Science China-Information Sciences, 2023, 66(2): 122408. (共同一作)

5、Liu Y, Cheng H, Xu Y, et. al. Separation of emission mechanisms in spintronic terahertz emitters, Physical Review B, 2021, 104(6): 064419. (共同一作)

6、Chen R, Cheng H, Wang X, et. al. Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures, Cell Reports Physical Science, 2021, 2(11). (共同一作)

7、Jiang Y, Zhang X, Cheng H, et al. Resonance cavity-enhanced all-optical switching in a GdCo alloy absorber[J]. Photonics Research, 2023, 11(11): 1870-1879. (共同一作)

8、 Liu Y, Cheng H, Vallobra P, et. al. Ultrafast Single Pulse Switching of Tb-dominant CoTb Alloy,Applied Physical letters,2023, 122(2). (共同一作)

9、 Xu S, Dai B, Cheng H, et. al. Electric-Field Control of Spin Diffusion Length and Electric-Assisted D’yakonov–Perel’ Mechanism in Ultrathin Heavy Metal and Ferromagnetic Insulator Heterostructure,Materials,2022, 15(18): 6368. (共同一作)

10、 Yao Y, Cheng H, Zhang B, et. al. Tunneling Magnetoresistance Materials and Devices for Neuromorphic Computing,Materials Futures. (共同一作)

上一条:彭懿

下一条:蔡文龙

版权所有© 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院 地址:北京市海淀区学院路37号  邮编:100191

手机版
学 生
教 工
访 客