为早日战胜疫情，保障师生安全，集成电路科学与工程学院积极落实学校和研究生院的相关规定，全力保障研究生培养过程、学位授予等各项工作有序展开，灵活制定学位答辩政策，实现云端答辩全流程。
2022年5月22日下午，学院赵巍胜教授团队两位博士研究生李赛、朱道乾（均为北航博士研究生十佳获得者）进行了线上博士学位论文答辩，并顺利通过答辩，成为集成电路科学与工程学院在疫情防控期间首批通过线上完成学位论文答辩的博士生。
这场线上答辩的另一端是由五位专家组成的答辩委员会：中国科学院物理研究所沈保根院士，清华大学赵永刚教授，北京科技大学王守国教授，中国科学院半导体研究所王开友研究员以及北京航空航天大学雷娜副教授。答辩还吸引了学院相关领域100余名师生旁听。
尽管是线上答辩，但程序与线下答辩相同。李赛、朱道乾同学依次分别介绍了其博士阶段的研究工作，对论文的创新性成果进行了总结，并逐一回答了答辩委员会专家提出的问题。随后，答辩委员会成员进入分组讨论区，在线讨论形成了答辩决议，并通过群投票以无记名方式进行表决。最终，答辩委员会全票通过李赛、朱道乾同学的学位论文答辩，建议授予其工学博士学位。学位论文答辩过程严谨规范，秩序井然。
此次线上答辩会的成功举办在遵循传统现场答辩工作要求的同时，进一步发挥了远程视频的技术优势，彰显了博士研究生的风采，优化了答辩模式，为后续的线上答辩工作积累了宝贵的实践经验。
2022年5月24日晚上，集成电路科学与工程学院博士研究生陈星同学顺利通过了北航-巴黎萨克雷大学双博士学位论文答辩。陈星同学在答辩过程中讲述清晰，回答问题准确流畅，得到了中方与法方答辩委员会成员的高度认可。最终，答辩委员会全票通过陈星的学位论文答辩，建议授予其工学博士学位。至此，在赵巍胜教授的指导下，集成电路科学与工程学院已有8位博士生通过北航-巴黎萨克雷大学双博士学位答辩。
答辩委员会由中方评委和法方评委共同组成，包括七位专家：法国国家科学研究院高级研究员Julie Grollier，英国谢菲尔德大学Thomas J Hayward，北京师范大学袁喆教授，中国科学院物理研究所特聘研究员于国强，香港中文大学（深圳）周艳副教授，北京航空航天大学聂天晓研究员以及北京航空航天大学雷娜副教授。
博士生简介
李赛，集成电路科学与工程学院2017级直博生，北航高博班成员，博士期间围绕拓扑自旋微纳器件及其应用取得了一系列原创性成果。以第一或共一身份发表Science Bulletin、Materials Horizons等国际知名期刊和会议论文六篇，包括一篇ESI前1%高被引论文、一篇IOP前1%高被引论文。研究成果获美国权威科学杂志《Science News》专题提名报道，成功搭建国际领先的布里渊光散射系统。她以学生一作申请专利两项（授权一项），参与撰写两部英文专著和一本中文教材。曾获CSC奖学金赴德国慕尼黑工业大学进行联合培养。她曾参与举办111引智自旋电子国际会议、德国MAINZ大学-北航暑期学校、IEEE AtC-AtG等国际会议活动。她目前担任学院学业与发展支持中心学生执行主任，曾担任研究生班大班长、“与你同航”国际交流工作室负责人，主持和组织多次科技和校企合作活动。她曾作为北航开学典礼和招生宣传片的代表，还曾接受新闻联播采访，讲述十九届五中全会精神的学习感悟。
李赛博士论文题目为《拓扑自旋微纳器件及其应用》，指导教师为AlbertFert教授和赵巍胜教授。论文的主要创新点为：
（1）利用微磁学模拟研究了新型嵌套斯格明子在自旋波驱动下的动态过程，为低功耗、高速度的基于斯格明子的赛道存储应用提供了可行方案。
（2）制备了基于斯格明子的隧道结薄膜及原理器件，论证了在隧道结器件中可以实现室温下磁斯格明子的电学探测，并实现了斯格明子非易失、多阻态调控。
（3）从器件设计、实验验证和电路仿真三个角度研究了基于斯格明子的类脑计算应用，为研制基于斯格明子的芯片提供了原理支撑。
朱道乾，集成电路科学与工程学院2017级直博生，博士期间围绕自旋存储器件的性能优化和原理探究取得了突出成果，以一作或共同一作在Nature Electronics、IEEE IEDM、Physical Review Applied和IEEE Transactions on Electron Devices等国际著名期刊和会议发表了10篇论文，包括2篇Nature Electronics，2篇IEEE IEDM，1篇ESI高被引论文和1篇Wiley半月精选论文，谷歌学术引用800余次；另以学生一作授权国家发明专利1项。曾获CSC奖学金赴新加坡国立大学进行联合培养。社会工作方面，作为集成电路学院研究生代表，申请人两次参与学院面向大一学生的专业宣讲，做背景知识方面的介绍；协助学院整理了诺奖得主费尔教授的访谈文稿，作为学院宣传资料；曾担任集成电路学院博士生第一党支部的组织委员，参与组织支部共建等活动。
朱道乾博士论文题目为《新型自旋轨道矩器件和机理研究》，指导教师为赵巍胜教授。论文的主要创新点为：
（1）基于LLG方程，理论推导了垂直磁各向异性自旋轨道矩（SOT）器件的阈值写入电流表达式，与实验结果和数值仿真相符合，结果表明提高SOT类场项可以降低器件的写入电流密度。
（2）研制了一种新型自旋轨道矩器件“自旋协同矩器件”，利用SOT和自旋转移矩（STT）的协同作用实现了垂直磁各向异性SOT器件的无磁场写入，与现有磁存储器制备工艺完全兼容。
（3）基于反铁磁/铁磁界面的交换偏置场，研制了一种新型三端磁存储器件，该器件利用IrMn/CoFeB界面的交换偏置场进行数据存储，与现有磁存储技术兼容，有望实现SOT器件尺寸的进一步微缩。
陈星，集成电路科学与工程学院2017级直博生。2019年至2021年在国家留学基金委“国家建设高水平大学公派研究生项目”资助下，赴法国巴黎萨克雷大学（Université Paris-Saclay）纳米技术与纳米科学实验室（C2N）进行双博士学位联合培养。留学期间，师从Damien Querlioz 研究员。相关工作陆续发表在国际知名期刊如NatureCommunications上，共计十四篇，其中以第一作者或共同第一作者发表 SCI 期刊论文 7 篇，以学生第一作者发表会议论文 2 篇，出席国际会议口头报告两次。曾获得“2019 自旋存储与计算国际研讨会最佳海报奖”（共两人，由诺奖得主 Albert Fert 颁奖）。研究生期间多次获得“北航优秀学术论文奖”（共五篇）。社会工作方面，多次参加志愿活动，北京志愿时长近100小时。
陈星博士论文题目为《基于斯格明子的类脑计算建模与仿真》。论文的主要创新点为：
（1）提出了斯格明子特征频率和材料参数的依赖关系，通过斯格明子在电压控制磁各向异性效应下的频率特性，为设计低功耗小面积的类脑器件提供辅助。
（2）提出了一种泄露-积分-释放的脉冲神经元器件；通过研究楔形纳米轨道中斯格明子在电流驱动下的行为，构建了基于斯格明子的随机数发生器。
（3）提出了基于神经常微分方程以构建自旋电子学器件模型的方法，可以模拟和实现基于自旋电子器件的复杂类脑计算基准任务，具有极高的精度和超快速度。
