在刚刚结束的第35届“冯如杯”竞赛中，集成电路学院学子表现优异，共斩获一等奖3项，较去年增长200%。同时在晋级复评答辩项目数量、布展项目数量、主赛道获奖项目总数等方面较去年增长200%，实现历史性突破。
一等奖获奖项目介绍如下：
芯界鹰眼——高集成三维芯片测量分析系统
项目作者：陶一铭、殷航、熊号堃、周宣伟、李卓晨、郭宇轩
指导老师：张博宇
针对我国集成电路高端设备依赖进口、100GHz以上频段测试技术的瓶颈问题，该项目提出“光电融合+异构集成”创新方案，解决传统技术难题，实现三大突破：
（1） 光电导超快脉冲产生技术，满足超高频信号生成需求，时间分辨率提高5倍；
（2） “源-芯-测”一体化有源探针，全功能片上集成，规避衰减与噪声，测试带宽提高4倍；
（3） 全光纤太赫兹采样系统，定位误差达到亚微米级，定位精度提升10倍。
产品性能超越国际竞品，成本降至进口设备的20%-50%，支持先进制程芯片测试及6G通信应用。
元脑智控——类脑感算控一体化软硬件系统
项目作者：姜河、杨梓航、吕宜飞、孙胤博
指导老师：康旺
该项目面向非侵入式脑机智能关键问题，以类脑计算与大模型软硬件协同为核心，从精确感知、智能计算、实时控制三个维度开展协同创新，共实现4项核心技术，开发了高性能的软硬件系统，可作为脑机接口的核心处理平台，在精度、识别率、能效等指标上领先于主流产品。团队现已为该系统申请2项发明专利，并与脑机接口企业开展合作，在脑控无人车、无人机与脑控打字场景下进行了原型验证。产品预期落地于人型机器人控制等场景，带动脑机智能新应用范式。
碳基三维异质集成抗辐照存算一体芯片设计
项目作者：童忠瑱、葛玮锋、宋建鑫
指导老师：林晓阳
针对硅基半导体物理极限及冯·诺依曼架构高延时、高功耗问题，本项目提出基于碳纳米管场效应晶体管与自旋轨道转移矩磁隧道结的三维异质集成抗辐照磁随机存储器存算方案。碳纳米管晶体管凭借低原子序数、强化学键及环绕栅极结构，兼具超强抗辐照性能、低漏电流与高开关比，可突破硅基外围电路总剂量和单粒子效应瓶颈；自旋轨道转移矩磁隧道结采用读写分离设计，显著降低写入能耗并提升耐久性。二者的三维单片集成（低温后端工艺兼容）融合了碳基材料本征抗辐射性、超高电学性能，支持高密度多层堆叠，同时实现存算一体架构的超高能效（突破传统硅基能效极限）、高速低功耗运行及复杂空天环境下的强可靠性，为后摩尔时代国防与航天存储系统提供了革新性技术路径。
